【创新讲座】非易失性信息存储—现状与未来Non-volatile memory: the present [and] future


讲座类型:学术讲座    发布时间:2016-11-08 16:14:58.293   阅读次数:523

讲座时间:2016-11-24  14:00
讲座地点:犀浦校区X9208
讲座嘉宾:郑宗良 讲师
嘉宾简介:

郑宗良,博士,讲师。主要从事微波通信系统集成、小型化磁介天线以及新型信息存储器件等领域的研究。2016年获电子科技大学电子科学与技术专业博士学位,2014-2015年获国家留学基金委公派前往美国东北大学微波器件与集成电路中心博士联合培养,2015年在美国乔治科斯塔斯国土安全研究所以及Oak Ridge国家实验室开展学术交流和研究工作。荣获2016年电子科技大学优秀毕业生,2015年博士研究生国家奖学金,2014年中国电子科技集团二等奖等。在IEEE Trans. Magn., Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys.等国际知名SCI期刊发表论文15篇。参与国家973课题、国家自然基金重点项目、十二五总装预研项目等国家级科研项目5项。作为负责人主持搭建了国内首台全自动化的高频段铁磁共振线宽微波测试系统,填补了国内空白,其FMR测试频率涵盖了X波段到毫米波Ka波段,该系统为微波收发组件及相控阵雷达的自主研发提供了有力的支持。

讲座内容:
非易失性存储器是当前集成电路最前沿的研究领域之一,广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域。现在的计算机系统中,超过90%的内存使用的是基于半导体工艺的随机存储器(random access memoryRAM),如DRAMSRAM,这类存储器最明显的缺陷是具有易失性,并且其存储密度已接近物理极限,难以满足大数据时代对信息存储和处理的需求。因此,发展具有高存储密度和高读写速度的非易失性存储器(non-volatile memory)是未来的发展趋势。本报告将讨论目前非易失存储器的研究态势,介绍相关的新型信息存储技术,并重点展示在四重态磁电(ME)信息存储领域的研究成果

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